LED顯示屏芯片的制造工藝節(jié)點(diǎn)通常在20納米至100納米之間，這表明隨著科技的進(jìn)步，LED芯片的精細(xì)度不斷提高。然而，具體到某個(gè)LED顯示屏芯片的工藝尺寸，會(huì)根據(jù)制造商的技術(shù)水平、產(chǎn)品定位以及應(yīng)用需求而有所不同。

      例如，晶合集成（JHL Integration）已經(jīng)實(shí)現(xiàn)了55納米平臺(tái)觸控與顯示驅(qū)動(dòng)器集成芯片（TDDI）的大規(guī)模量產(chǎn)，并且40納米高壓OLED平臺(tái)開發(fā)也取得了重大成果。這些信息表明，在特定的應(yīng)用場景下，如顯示驅(qū)動(dòng)芯片，LED相關(guān)技術(shù)可以達(dá)到更先進(jìn)的工藝節(jié)點(diǎn)。

       對(duì)于LED顯示屏本身，特別是Micro-LED和Nano-LED這樣的新型顯示技術(shù)，它們的目標(biāo)是實(shí)現(xiàn)超小尺寸的發(fā)光像素，以獲得更高的分辨率和更好的畫質(zhì)。這類顯示屏的制備涉及到了微米乃至納米級(jí)別的半導(dǎo)體工藝，但具體的工藝節(jié)點(diǎn)會(huì)依賴于所采用的技術(shù)路徑和最終產(chǎn)品的規(guī)格要求。

      值得注意的是，雖然某些高性能處理器如手機(jī)SoC或電腦CPU可能會(huì)用到14納米及以下的工藝，但這并不適用于所有類型的芯片，尤其是LED顯示屏芯片。對(duì)于LED芯片而言，其關(guān)鍵在于如何通過優(yōu)化設(shè)計(jì)和材料來提高效率、亮度和色彩質(zhì)量，而不一定追求最小的工藝節(jié)點(diǎn)。